硅材料综合测试实验室
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仪器名称: 辉光放电质谱仪(GDMS) 仪器型号: Element GD 生产厂家: Thermo Fisher 启用日期: 2009年6月 主要部件及功能指标: 系统包含PPMS-9基系统、交/直流磁性性质测量选件、交流电输运选件、大容量氮夹层杜瓦(68升)和PPMS液氦子循环装置。 检测器系统参数: 宽动态范围:0.2 cps到> 10E+12 cps 积分时间:<1ms 其他技术指标: 1.灵敏度(峰高，总离子流):>1 x 10E+10cps，1.6x10E-9A，铜，中分辨(R≥4000) 2.暗流:< 0.2 cps 3.动态范围:>10E+12 线性，自动交叉校准 4.最小积分时间:计数模式:0.1 ms，模拟模式:1 ms，法拉第杯模式:1 ms 5.质量分辨:3个固定分辨 ≥300, ≥4000, ≥10,000 (10%峰谷定义) 6.分辨切换时间:≤1s 7.质量稳定性:25 ppm/8小时 8.扫描速度(磁场):< 150 ms 9.扫描速度(电场):1 ms/跳峰，与质量范围无关 10.7分钟内分析70个元素，低至ppb量级 用途: 辉光放电质谱仪ELEMENT GD是辉光放电离子源与高分辨率质谱仪的结合，是直接分析导体材料中的固态痕量元素的最佳工具，能在一次分析过程中测定基体元素(~100 %)、主体元素(%)、微量元素(ppm)、痕量元素(ppb)和超痕量元素(ppt)。 |
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仪器名称: 综合物理性能测试仪(Physical Property Measurement system,PPMS) 仪器型号: PPMS-9 生产厂家: QUANTUM-DESIGN 启用日期: 2010年11月 主要部件及功能指标: 系统包含PPMS-9基系统、交/直流磁性性质测量选件、交流电输运选件、大容量氮夹层杜瓦(68升)和PPMS液氦子循环装置。 PPMS-9基系统具体技术指标: 样品腔尺寸:内径26mm 温控范围:1.9-400 K 温度扫描速率:0.01~8K 温度稳定性:±0.2% for T < 10 K； ±0.02% for T> 10 K 磁场大小范围:±9 T 磁场分辨率:0.1Oe 磁场稳定性:1PPM/hour 交/直流磁性性质测量选件技术指标: 温度范围:1.9-350K 交流驱动频率:10-10kHz 交流场幅值:0.002-15 Oe 提拉法测量时样品移动速度:100cm/s 谐波分析:最高10次谐波 测量灵敏度 交流磁化率:2×10-8emu 直流磁化强度:2.5×10-5emu 交流电输运性质测量选件技术指标: 电压噪声: 0.5nV/√Hz@1kHz 电压灵敏度: 1nV 电流范围: 10uA to 2A 频率范围: 1Hz to1kHz 绝对精度: 0.03% (典型值) 用途: PPMS是一种全自动高性能材料物性测量系统，同时提供0～9特斯拉变磁场测量环境和1.9～400K变温度场测量环境，以及基于此平台的各种物理参数全自动测量。 |
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仪器名称: 深能级瞬态谱仪 仪器型号: DLS-83D 生产厂家: Semilab 启用日期: 2009年1月 主要部件及功能指标: 温度范围:20K-320K 温度稳定性:0.1K 温度精度:< 1K or 1% 测试电容:1-10000pF 电容灵敏度:2*10E-5pF 相角稳定性:0.001° 检测灵敏度:<10E+10 atoms/cm3 用途: 检测Si、ZnO、GaN等半导体材料中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。 |
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仪器名称: 少子寿命测试仪 仪器型号: WT-1000B 生产厂家: Semilab 启用日期: 2008年10月 主要部件及功能指标: 样片电阻率范围: 0.1 －1000Wcm 激光波长: 904nm 微波源: 可调频率10.3GHz 少子寿命测试范围: 100ns －20ms 测试分辨率:0.1% 测试时间: 30ms/数据点 用途: 测试硅、锗、氧化锌等半导体中少子寿命，反映材料重金属沾污及体缺陷的情况。 |
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实验室: 支撑楼113/115 电 话: 0591-6317-3656 负责人: 黄瑾 硕士 |